近日，紫光集团联席总裁刁石京透露，中国首批拥有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产。
刁石京表示，中国芯片技术落后于世界，但自主研发的脚步始终没有停止，两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国等国家在存储芯片上的差距。
同时，刁石京介绍，目前，芯片生产设备正在进行安装调试，今年第四季度，32层3D NAND闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产。此外，64层3D NAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行，计划2019年实现量产。
值得一提的是，长江存储此前已透露，长江存储CEO杨士宁博士将于8月份在美国举行的闪存峰会（FMS）上首次公布新型3D NAND架构Xtacking技术。据称，该技术可将NAND传输速率提升至DRAM DDR4相当的水准，同时使存储密度达到行业领先水平，实现闪存行业的划时代跃进。
作为国家级存储项目基地，长江存储于2016年7月26日在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上正式成立，总投资金额达240亿美元。
2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动土，官方预期分3阶段，共建立3座3D NAND Flash厂房。第一阶段厂房已于2017年9月完成兴建，预定2018年第3季开始移入机台，并于第4季进行试产，初期投片不超过1万片，用于生产32层 3D NAND Flash产品，并预计于自家64层技术成熟后，再视情况拟定第2、3期生产计划。
2017年，长江存储成功研制了中国大陆第一颗3D NAND闪存芯片，不仅获得了中国电子信息博览会(CITE2018)金奖，并力争凭创新实力成为世界一流的3D NAND闪存产品供应商。
据了解，这颗3D NAND闪存芯片耗资10亿美元，由1000人团队历时2年自主研发，是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片，实现了中国存储芯片“零”的突破。
2018年5月19日，长江存储的首台光刻机已运抵武汉天河机场，设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后，即可运至长江存储的工厂。据集微网独家消息，这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机，售价7200万美元，用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程。这是长江存储的第一台光刻机，陆续还会有多台运抵。
紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国强调，未来十年，紫光计划至少将投资1000亿美元用于长江存储项目研发，相当于平均每年投入100亿美元。而紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全也曾透露，长江存储的3D NAND闪存已经获得第一笔订单，总计10776颗芯片，将用于8GB USD存储卡产品。
